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第258章 碳基芯片加工要求

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他来找我询问碳基芯片加工过程对光刻机的要求,他们好针对性的设计光刻机。”

朱烟波又向李浩介绍:“这是我的导师王容哲。”

李浩客气地提问道:“王教授您好,我想向你询问碳基芯片加工过程的基本要求。”

王容哲拿出手机给李浩拍了一张照片。

等了一会儿,他高兴地说道:“真的是李总啊,我们当然欢迎你们的光刻机,专门为我们碳基新片定制加工功能。

朱烟波,你给李总介绍一下我们碳基芯片对光刻机的基本要求。”

朱烟波得到导师的吩咐后,他直接给李浩介绍道:“我们的碳基芯片是由我导师辛苦研发的碳纳米晶体管组成。

它和常规的碳纳米晶体管不同,这是一种三维立体结构的碳纳米晶体管。

它发挥的功效比常规硅芯片强300倍。最关键的是它的协同作用很出色。通过这个属性,可以极大的提高芯片的并行运算能力。

它虽然有非常好的性能,但同时对于加工设备要求非常高。

我们需要光刻机,是能具有一纳米的加工工艺。它必须一次性完成芯片整个曝光。

只通过一次加工,就可以把整片芯片全部加工完成,必须达到分毫不差。

这种芯片没有二次修改的可能。不像硅基芯片一样,加工失败的可以做成低端芯片。

我们对加工光源也有特殊要求,他不能采用强度稍低的自然光,必须要用高强度激光来完成。对激光的波长和强度还有一定要求。”

李浩听完之后,自信的说道:“这些我们全部能达到。”

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