七个人挨个聊了一遍，最后仓耀祖找上了杰克袁，他主要是要交代杰克袁一些事，仓耀祖希望杰克袁联络一下加州大学伯克利分校的胡正明教授。
胡正明被半导体行业誉为“FinFET之父”，仓耀祖找上他，正是要委托他研究一下FinFET技术，目标是解决25纳米之后半导体器件的微细化问题，这个技术的专利仓耀祖必须拿在手里，FinFET技术的细节仓耀祖会整理出一个文档交给胡正明教授，想必这项技术的研发就不会拖那么久了，今年就应该能搞定。
仓耀祖还想以这个研发项目为由，让胡正明教授去燕都一段时间，仓耀祖希望能把胡正明老爷子请去清微半导体担任技术负责人。
胡正明教授前几年还是清大的荣誉教授，仓耀祖希望这次把合作夯实再夯实，把合作深入下去，而不是浮于表面。要知道挖到胡正明教授，不止在技术上好处多多，仓耀祖非常想挖的一个人就是胡教授的关门弟子梁孟松。
梁孟松是湾湾人，研发实力超强，号称半导体行业的吕布，之所以叫吕布，自然是因为他多次叛门跳槽，台积电、三星、华芯国际都留下了他的传说。
现在的梁孟松在台积电并没有那么醒目，还没出什么成绩，把他挖到清微半导体或者山腰科技都是不错的选择，反正留给台积电或者三星可就是严重资敌了，那可就十分不好了，仓耀祖可不想给自己增加难度。人情、金钱、股份齐上，不惜代价也要拿下他啊。
除了胡正明教授这个FinFET之父外，仓耀祖想要挖的还有两个人，一个是华夏刻蚀机之父尹志尧，一个就是林本坚。
刻蚀机不说了，虽然没有光刻机重要，但也是半导体行业不可或缺的重要设备。光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备是芯片制造过程中的三大核心设备，如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机是雕刻刀，沉积的薄膜则是构成作品的材料。
光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，因此光刻、刻蚀和薄膜沉积设备是芯片加工过程中最重要的三类主设备。
那一世，直到2004年尹志尧才回国创建了中微半导体，这一世，仓耀祖希望提前促成这件事情，嗯，缺人挖人，缺钱投钱，砸也砸出一个刻蚀机头部企业。
而林本坚，他就是那一世台积电如厮强横的一大保证了，仓耀祖教给清微半导体的浸入式光刻技术就是林本坚提出并坚持推动的结果。
其实浸入式光刻技术在1984年就由日本人Takanashi在一项美国专利中提出了，他定义了浸入式光刻机最基本的结构特征，即在最后一级物镜与光刻胶之间充入一层透明的液体。
发明专利的时效只有20年，只可惜这项专利诞生的“过早”，前世真正意义上的浸入式光刻要在若干年后才会出现，Takanashi也因此与巨额专利费擦肩而过。
但这一世呢，仓耀祖已经让葛栗琴的律师事务所买断了这个专利，虽然专利时效只有不到8年了，但8年时间也足够了。
现在的浸入式光刻之所以不被重视，是因为人们找不到好的浸入液，比如浸入液是环辛烷的话。浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题很难解决，因此，人们对浸入式光刻并没有什么深入的研究。
现在的主流技术是干式光刻，无论是尼康、佳能还是阿斯麦都是如此。如果能找到好的浸入液，那么，在高端光刻领域，浸没式光刻就是干法光刻的完美替代技术，而新旧技术的替代带来的就是光刻机的完全垄断。
林本坚在2002年后提出了以折射率为1.44的去离子水为浸入液的方案，比较完美地解决了浸入式光刻的其它问题，此举彻底改变了光刻行业以及整个半导体行业。这是一项很伟大的改进，可以说，打败尼康光刻机和佳能光刻机的就是这简单而又神奇的去离子水。
什么是去离子水呢，就是去除了离子的水。因为水是一种万能的溶剂，在自然界的水中会溶解有很多种类的盐类，而这些盐类在水中均有一定程度的电离现象，从而产生很多种类的阴阳离子。所以，溶解了盐类物质的水是可以导电的，这不利于光刻的进行。
那去离子水就不导电了吗？当然还是导电的，只不过去离子水的导电能力就很弱了，是介于导电体和绝缘体之间的半导体。
林本坚生于1942年，祖籍潮汕，长于西贡，求学于湾湾，就职于IBM22年，1992年他50岁时提前退休，现在创建了领创公司。
仓耀祖准备这两天就亲自去见见林本坚先生，并收购他的领创公司，为邀请他加盟清微半导体扫清障碍，铺平道路。
仓耀祖盯上湾湾那边的半导体人才也是没办法的事情，主要是国内这方面的人才培养出现了断层，确实是没有什么能独当一面的人物，因为实在是没有这个成长环境啊。
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