参观结束，一行人来到基地顶楼一间安保级别极高的专用会议室。
厚重的隔音门关闭，只剩下核心的几人。
短暂的沉默后，常浩南端起茶杯抿了一口，放下，目光直接投向吴明翰。
“吴院士，抛开继续优化多重曝光和分辨率增强技术这条路不谈，在现有的193nmArF光源条件下，要想提升单次曝光的分辨率，还有没有更直接的技术路径？”
手握负折射材料这么个王炸，那最根本的解决方案当然是走向表面等离子体光刻，由携带高频信息的倏逝波取代低频的传输波成像，直接掘了当前半导体生产体系的祖坟。
但这种事情相当于从零开始盖高楼，连理论基础都要重新来过，显然不是一朝一夕能完成的。
所以为了应对眼前随时可能出现的危机，最好还是能在现有基础上，整出来点短平快的升级手段。
吴明翰一直在思索常浩南的真正目的，但这个问题实在普通，深究不出什么东西来。
只好照常回答：
“在相同波长的光源下，不同型号光刻机，比如我们现在用的NXT:1950i和ASML更先进的NXT:2000i，它们性能差异的核心指标还是数值孔径（NA）和工艺系数。”
他拿起激光笔，在桌面投射出一个简易的光路示意图：
“NA值，简单说，决定了光学系统收集和汇聚光线的能力，这个项越高，理论上能达到的分辨率极限就越小。”
激光笔的光点停留在象征物镜的透镜组位置：
“具体来说，NA等于底镜、浸没液和光刻胶三者折射率（n）的乘积，再乘以孔径角半角的正弦值，当然光刻胶和孔径角的设计自由度有限，所以主要是另外两项的材料。”
“我们目前使用的NXT:1950i，是氟化钙底镜，配合2G系列的浸没液，NA最高能达到1.35左右，更先进的NXT:2000i，底镜是性能更好的氟化锂钡，浸没液也是优化的3G系列，能把NA推高到1.45左右。”
吴明翰放下激光笔，看向常浩南：
“不过，这基本就是传统技术路线的极限了。”
常浩南一直专注地听着，此刻微微皱起了眉：“浸没液这块我不熟悉，不过……底镜为什么不能用折射率更高的材料？”
紧接着又补充了一个更详细的数字：“我记得……镥铝石榴石的折射率能接近1.9？”
这是之前做实验过程中用过的。
这个问题一出口，会议室内包括周学、黄炜在内的所有人，几乎同时精神一振。
倒不是说问题本身有多精深。
而是足够具体。
这绝非一个外行能随口问出的问题。
无论答案是什么，都强烈地印证了一点：常院士此行，绝对带着明确的技术目的和解决方案而来！
吴明翰立刻回应道：“镥铝石榴石确实是目前已知的、在深紫外波段折射率最高的透明材料……理论上，如果能将它成功应用于物镜底镜，结合目前最高端的第三代浸没液，确实有可能将NA值提升到1.70……或者更高。”
他先是吹捧了一番，然后话锋一转：
“不过，高折射率带来的高NA值也有弊端。”他再次拿起激光笔，在刚才的示意图上着重描绘底镜的位置：“一个优秀的光刻物镜组，要求光线在系统内的走势尽可能平滑，而光线的大折射角传播则必定给系统带来较大的像差和色散差。”
“设计物镜组的过程中一方面要防止系统内多个反射镜之间遮拦成像光束，另一方面还要尽可能降低因为超高折射率而导致的像差和色散差，难度极高……就算设计能够实现，也需要引入更多的镜片元件、更复杂的曲面设计……”
“……”
吴明翰并非光学系统出身，但这部分知识对于半导体生产领域而言不算特别前沿，所以也能很快解释清楚：
“总之，目前还做不到。”
然而，这个结果却没有让常浩南感到气馁。
尤其是在他听对方说起像差和色差的时候——
无论“突破衍射极限”的猜想是否能够成行，负折射率材料天生的负色散特性总归是确定存在的。
单凭其在色差补偿方面的颠覆性能力，也足以成为解决超高NA物镜组设计痛点的关键。
他心中迅速盘算起来：
如果能把现有DUV光刻机的NA值从1.35大幅提升到1.70以上，相当于把等效分辨率波长从142.2nm压缩到112.9nm。
这将极大扩展现有DUV设备的实用能力边界，可能直接解决40nm乃至28nm的图形化问题，显着减轻对多重曝光技术的依赖，从而绕开良率和成本的泥潭！
片刻的思索后，常浩南心中已有了初步的盘算。
他依旧没有直接点破负折射率材料的存在，但决定再向前推进一步。
“实不相瞒，火炬实验室目前正在探索一种新型的光学系统设计理念，其中涉及一些……非传统的路径。”他措辞谨慎，“为了更好地评估这种新理念的潜力，我们迫切需要一些关键的设计输入参数。”
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