“贾维斯，‘0.1纳米光刻机’制造图纸是否分析完成？”
“老板已分析完成，并根据您的要求将‘光源’、‘光学镜头’、‘对准’这三个大块进行了分割，其他部分也已经按照不同的研究方向进行分割。
通过模拟实验得出，就算单独部分泄密，也不能造成任何影响。”
“做的好，贾维斯。
根据制造图纸的切分情况，将其分别发送到中科院相应研究所的邮箱中，注意对邮件进行相应加密保护。”
“明白，老板。”
………
第二天王昊哲根据安排直接进入中科院光研究所。
光研究所所长张大能，早早在大门口等着了。
见到王昊哲的专车停稳，张大能主动走上前去替王昊哲打开车门。
王昊哲看到张大能的行为十分吃惊“张所长，您这样客气可真的是太为难我了，作为前辈您随意点，我们这点没有上下级的关系。
“我这可不是客气，而是对您的尊重，我们做科研的人，年纪不是问题，看中的是科研成果，王总工的确是让我们等人十分的佩服呀！”
“张所长，您可别这样说，我们还是关注项目本身，这你我也是因为项目才有所成就。
张所长，关于‘0.1纳米光刻机’制造图纸中的‘光源’部分应该已经发送至你们所的邮箱了。”
“王总工，我们在收到制造图纸的第一时间，已经对其进行了详细的分析研究，但是还存在一些疑惑。
要不然我带您去我们新划分的研究中心，您给我们研究人员和工程师做一个详细的讲解吧。”张大能答道。
此时光研究所新的研究中心已经囊括了龙国在“光源”领域最顶尖的研究者。
他们面对王昊哲所给的图纸，已经在进行激烈的讨论，制造图纸中涉及的相关原理和分析已经有些超出他们现在的认知。
看到此状的张大能打破僵持的场面“各位，王总工来了，先让他给你们讲解一下制造图纸的相关内容，或许会更有帮助。”
在场的时候研究人员都安静了下来。
“各位既然，张所长已经说明白了，那我就给大家讲一下其具体的设计理念。
光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。
我们这次将要实现‘超紫外光’这一光源将能极大的提升相关反应速度。
但是我们还需要解决三个问题：
第一个问题，真空环境约束。
因为光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。
但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长。
从光刻机起源到现在几十年来，光刻机厂商的做法都是将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端（UV）。
现在着名的厂商ASML最终选择的 13.5nm 波长射线，可以轻易地被很多材料吸收，所以EUV光刻机只能在真空下运行。
但是我们的‘超紫外光’可以适应认为广泛的环境。
第二个问题，弯曲射线。
由于EUV能被玻璃吸收，所以必须在机器中改变其走向，如此一来则必须用反射镜来代替透镜，而且必须使用布拉格反射器（一种多层镜面，可以将很多小的反射集中成一个单一而强大的反射）。
这一问题各位也无需担心，我的制造图纸已经做了相应的解释。
第三个问题，强大光源。
一个 EUV 光束在经过长途跋涉后，只有不到 2% 的光线能保留下来。为了减少成本，射线光源必须足够强，这个强度需要达到中心焦点功率达到250W。
但是我们所使用的‘超紫外光’已经能实现最终50%的光线保留，所以这方面我们的优势也很大。
第四个问题，独特光刻胶。
现有的光刻胶是化学放大光刻胶，由分子链聚合而成，可以增强入射光子的效果。
但这些材料对 EUV 的吸收效果并不好。
此外，由于入射光引起的放大反应在材料内部散射，光刻胶形成的图像会有轻微模糊。
针对这个问题，‘0.1纳米光刻机’重新设计了其配套的光刻胶，使用全新光刻胶就不会存在图像模糊情况。
第五个问题，保护掩模板。
当前主流的液浸式光刻机中，掩模版由一层被薄膜（即护膜）保护着。
这层薄膜距离掩模版有一点悬空的距离，像保鲜膜一样紧绷在上方，其作用在于当灰尘落在护膜上时影响聚焦而不能在晶圆上形成图案，因此不会损坏整个晶圆。
但是现在所用的的护膜不适用于其配套的的光源，因此EUV会损坏护膜。
同时若不使用护膜则很可能是最终良品率为0，这样一来整个光刻机的设计就是失败的。
因此能够制造出适合的护膜也将使光刻机的使用效率极大提升。
小主，这个章节后面还有哦，请点击下一页继续阅读，后面更精彩！