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第285章 胜iPod半子,快时代半步!

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没有硝烟的一枪,悄悄地在永宁“嘣”地响起!

……

那一头,刘汉豪是因为项目进行到了关键时间而按捺不住地加班,终于出了结果。

这一头,倪光北和林耀东却被顾松的设想弄得欲仙欲死。

《关于TSV技术运用在存储芯片封装工艺上的可能性》。

顾松开宗明义地说:“TSV技术如果能运用在存储芯片封装工艺上,对存储芯片领域带来的是质的突破。我们只需要先在我们可以掌握的制程工艺下完成这一套工艺,它的可能性就能得到验证。在更先进的制程工艺下,无非是具体流程的改进和突破。”

言下之意,哪怕达不到100纳米以下的工艺水平,先在一微米级别的工艺下,是否能验证这种工艺?

顾松在这份材料了,总结了他自己和林耀东搜集出来的资料,从其中一些思路里,提炼出了这个方案。

而且,他也给出了一些具体需要攻破的点。

倪光北心痒痒的是,确实,如果按照顾松的阐述,只要在这几个具体的点上有了解决的方案,就能通往最终的结局:不受限于制程工艺,弯道超车,可以制备出容量领先的存储芯片。

至于其中因为立体结构带来的算法要求,恰好,之前U盘控制芯片研究时,其中的一些算法结晶提供了基础,有些思路是相通的。

燧石研究院的U盘控制芯片之所以能达到世界一流水平,就是因为其中的一些算法思路,不同于以往的常规思路。

而林耀东,则被这种大胆的想法拓宽了思路。

之前,他只想着怎么从存储芯片的逻辑结构上去改进,提升存储芯片的可能性。

没想到,顾松却绕过了这个核心的点,转而从封装工艺上考虑。

具体的封装工艺他不懂,但这个思路却提醒了他,存储芯片的结构,有没有从2D进化到3D的可能?

没道理存储单元也只能是二维结构不是吗?

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